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타이틀:프라즈마공작소
발표자: 후지와라 히데키1, 시취안2, 카지타 신2, 오노 테츠야스3, 다나카 히로히코3, 우에하라 히요리4
(1 홋카이학원대학교, 2 도쿄대학교, 3 나고야대학교, 4 핵융합과학연구소)
발표일: 3월 15일
강의 페이지:https://meetingjsaporjp/

지난해 질화갈륨(GaN) 표면처리에 단 한 번의 플라즈마 조사로 넓은 면적에 나노미터 크기의 요철 구조를 만드는 기술을 적용해 랜덤 레이저라는 고성능 발광소자를 개발했다(보도자료 참조: https://wwwnifsacjp/news/collabo/230110html) 이번 연구에서는 이 GaN 기판 위에 투명전극(FTO 기판)을 압착하는 것만으로 전기적으로 구동하면 그림과 같이 자외선을 방출하는 발광소자를 제작하는 데 성공했다
(그림은 전압 인가 전후의 샘플 사진과 발광 상태를 보여줍니다)